FlyTOF飞行时间法迁移率测量仪是东谱科技HiTran瞬态综合光电特性测量平台中的重要成员。该系统利用飞行时间法（time-of-flight，TOF）测量半导体材料的迁移率以及相关的光电特性，广泛适用于各类半导体材料，如硅基半导体、第二代半导体、第三代宽带隙半导体、有机半导体、钙钛矿半导体、量子点半导体、二维材料半导体、金属-有机框架（MOF）、共价有机框架（COF）等。FlyTOF基于我司的MagicBox主机研制而成，配备便捷的上位机控制和数据测量软件，可助力客户进行快速、准确的测量。FlyTOF是东谱科技源头研发产品，是业内首款自动化、集成化的飞行时间法迁移率测试商业化设备。

　　迁移特性是半导体最为基础的性质之一，是半导体在电子学和光电子学等领域进行应用的基础。半导体的迁移率定义为单位电场下载流子的平均漂移速度。TOF迁移率测试方法直接由迁移率的定义发展而来。 相比于一些间接的迁移率测试方法，如空间电荷限制电流（SCLC）法等，TOF的方法被认为是最接近“真实”迁移率的一种测量方法。通过TOF瞬态光电流信号的分析，可以得到电子迁移率、空穴迁移率等参数；用户还可以利用这些数据，结合材料的物理模型进行分析，得到杂质浓度、缺陷、能带混乱度、电荷跳跃距离等参数。

　　作为TOF迁移率测试方法商业化应用的先行者，东谱科技已携手客户广泛探索了FlyTOF在有机半导体、硅基半导体、钙钛矿半导体、二维材料、共价有机框架等领域的应用。东谱期待与您共同开拓FlyTOF更多的应用领域。

　　FlyTOF核心功能为飞行时间法（TOF）瞬态光电流测量技术，可精确测定半导体材料的电子迁移率、空穴迁移率、载流子浓度及载流子寿命。系统支持变温环境下的测量拓展，并可选配横向飞行时间法（Lateral-TOF）测试功能及其附件，以及TOF二维扫描（mapping）功能及相应附件，实现更全面的材料表征。

　　FlyTOF广泛应用于各类半导体材料的研究，涵盖有机半导体、量子点半导体、元素半导体（如Si、Ge）、金属-有机框架（MOF）、二维材料、宽带隙第三代半导体、钙钛矿材料、化合物半导体（如InGaAs）、共价有机框架（COF）及其他多种半导体材料体系。

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